MOSFET Calculator | Deuringstreeksaanwijzingen en Stroomverlies Calculator

Een Basisaspecten

Metalloxyde-Semiconductoreffecttransistors MOSFETs zijn voltagesbestuurdende apparaten die breed gebruikt worden in sluit- en versterkingstoepassingen. Hun werking is gebaseerd op het controleren van de leiding conductiviteit door middel van de poortspanning.

N-kanalen en P-kanalen types
Verhoging en verdwijningsmodus
Drie werkingssgebieden: snuffel, lineair, volledig
LichaamsEffectbeheer

2. Schakelbesturing Ontwerp

Hoe je de gate resistancerekening en het voedingsverzoek berekent:

Eigenschappen	Formule	Voorgestelde voorbeeld
Poortresistorschakelaar	Rg = Vdr/Ig peak	Tien ohm voor 12-voltdreiber
Poortstroom	Ig = Qg × fsw becomes:	100mA bij 100kHz

3. Sleutelparameter

Benodigde parameters voor de selectie en operatie van MOSFETs:

MAX VDS: Maxiemale draainuursspanning
Maximale stroomverliesstroom
In-blijvende weerstand
Threseholderpotentiaal van de ingangskabeljenspanning
Totaalgatebelasting

4. Wisselkenmerken

Verwarring met het klokkengedrag en de timing:

Activeringsdeltetijd tdon
Opklopende tijd tk
Afterslagtijd uitgang tdoff
Vallertijd tf

Switchen Verliesberekeningen

Hoe berekenen en minimaliseren van uitlaatingsverliezen:

Temperatuurstijging	ΔT = Ptotal × Rthj-a Tijd Tj = Temperatuur Tijd Ta + Verandering van Temperaturen ΔT	Overdracht van thermische weerstand
Hitsschermvereisten	Thermisch weerstand Rthh-a = Tjmax - Ta/Ptotal - Rthj-c - Rthc-h Kies een verwarmingsschil met lagere Rth	Incluider thermische verbindingsmateriaal

6. Storing van Levensduur

Calculerende minimaal overgangstijd voor veilige bedrijfsvoering:

Karakteristiek	Formule	Gebaseerde Waarden
Minimale Dodetijd	tijdspanne minuten = tijdspanne seconden + tijdsverschil	100 tot 500 picoseconden
Veiligheidsmargine	tdsaf = 2 × tdminimal	200-1000ns → 200-1000 ns

7. Schalprimaire Spanningberekening

Beschouwing van de variaties van de drempelvoltage

Parameter	Formule	Aantal notities
Threshtooling van het geleidingsspanning	VGSThres = VGSThres,25°C + TC × ΔT	Temperatuurcoëfficiënt
Temperatuur effect	Tijdsconstante ≈ -2 tot -4 mV/°C	Negatieve koefficiënt

8. Overdrachtscalculation

Verwarring met de winstdrempelfuncties van MOSFET:

Basisformule:
- Transformatie van gm naar Nederlands:
- De geleiderweerstand gm is ongeveer gelijk aan 2 keer de stroom door het MOSFET ID, gedeeld door het verschillen tussen de gesamtelageving VGS en de VGS-drempelwaarde VGSth.
- Drukkinggoed afhankelijk van operatietoestand
Bedrifspunt:
- Lineaire regio: gm varieert met Vds
- Verzadigingsgebied: gm meer stabil
- Maximale transductiecoëfficient bij een maximumstroom van halvering van de maximale stroom

9. Port Chargegecomputatie

Analysing de opdracht voor de poortlading

Parameter	Formule	Toepassing
Aanpakstijd	ton = Qg/Ig	Snelheid van het switchen
Portiegastenenergie	Eg = Qg × VGS becomes:	Drijverschorting

10. Conductieve Verliesanalyse

Verstaan en berekenen van conductieve verliezen:

Verliestype	Formule	Overwegingen
DC Verlies	P = I²D × RDs op	Temperatuurdpendant
Akkoordverlies	P = I RMS² × RDS op	Frequentiefondsafhankelijk

11. Ontwerp- en Bouwregels

Meest voorkomende praktijken voor de ontwikkeling van MOSFET-circuits:

Voorkeur van de VDS-lijning met een margine van 20%
Overweeg thermische beheer vroeg
Gebruik een correcte stroomdrivercircuit
Rekening houden met parasitische effecten
Beschermingsfuncties implementeren
Ontwerpen van de PCB naar optimalie

MOSFET-Verrekker

Opmerkingen op het Functioneren van MOSFET